AP9576GJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9576GJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-251

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AP9576GJ datasheet

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AP9576GJ

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AP9576GJ

AP9576GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID -14A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low volta

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AP9576GJ

AP9576GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS -60V D D Simple Drive Requirement D RDS(ON) 90m D Fast Switching Characteristic ID -4A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

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