AP9576GJ Todos los transistores

 

AP9576GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9576GJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP9576GJ Datasheet (PDF)

 7.1. Size:95K  ape
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AP9576GJ

AP9576GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS -60VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 90mD Fast Switching Characteristic ID -4AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 7.2. Size:99K  ape
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AP9576GJ

AP9576GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID -14AGSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial STO-252(H)surface mount applications and suited for low volta

 7.3. Size:69K  ape
 ap9576gm.pdf pdf_icon

AP9576GJ

AP9576GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLower On-resistance BVDSS -60V DDSimple Drive Requirement D RDS(ON) 90m DFast Switching Characteristic ID -4A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best

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History: SQ4532AEY | TSF8N60M | FDB0260N1007L | STP60NF06LFP | IRLI3803PBF | DMN2020LSN

 

 
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