AP9578GH-HF Todos los transistores

 

AP9578GH-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9578GH-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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AP9578GH-HF Datasheet (PDF)

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AP9578GH-HF

AP9578GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10AGSDescriptionAP9578 series are from Advanced Power innovated design andGDSsilicon process technology to achieve the lowest possible on-TO-252(H)

 6.2. Size:217K  ape
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AP9578GH-HF

AP9578GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10AGSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialSTO-252(H)surface mount applications and suited for low volt

 6.3. Size:100K  ape
 ap9578gh j-hf.pdf pdf_icon

AP9578GH-HF

AP9578GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10AGSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial GDSsurface mount applications and suited for low voltage applica

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