AP95T08GP Todos los transistores

 

AP95T08GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP95T08GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 93 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 96 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP95T08GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  ape
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AP95T08GP

AP95T08GPPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 80V Lower On-resistance RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic ID 80AG RoHS CompliantSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowG

 8.1. Size:192K  ape
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AP95T08GP

AP95T07AGP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 4.8m RoHS Compliant & Halogen-Free ID3 170AGSDescriptionAP95T07A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest possibleon-resistance and f

 8.2. Size:151K  ape
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AP95T08GP

AP95T06GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 8.5m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP95T06 series are from Advanced Power inno

 8.3. Size:57K  ape
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AP95T08GP

AP95T07BGP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 125AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistanc

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History: HSP80P10 | TSD5N65M | MTN3607E3

 

 
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