AP95T08GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP95T08GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AP95T08GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP95T08GP даташит

 ..1. Size:65K  ape
ap95t08gp.pdfpdf_icon

AP95T08GP

AP95T08GP Preliminary Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 80V Lower On-resistance RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic ID 80A G RoHS Compliant S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low G

 8.1. Size:192K  ape
ap95t07agp.pdfpdf_icon

AP95T08GP

AP95T07AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 4.8m RoHS Compliant & Halogen-Free ID3 170A G S Description AP95T07A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-resistance and f

 8.2. Size:151K  ape
ap95t06gp.pdfpdf_icon

AP95T08GP

AP95T06GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 8.5m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP95T06 series are from Advanced Power inno

 8.3. Size:57K  ape
ap95t07bgp-hf.pdfpdf_icon

AP95T08GP

AP95T07BGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 125A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc

Другие IGBT... AP95T06BGP, AP95T06GP-HF, AP95T06GS-HF, AP95T07AGP-HF, AP95T07BGP-HF, AP95T07BGS-HF, AP95T07GP-HF, AP95T07GS, IRF9640, AP95T10AGI-HF, AP95T10AGP-HF, AP95T10AGW-HF, AP95T10GI-HF, AP95T10GP-HF, AP95T10GW-HF, AP95T11GI-HF, AP95U03GMT-HF