AP9924AGO-HF Todos los transistores

 

AP9924AGO-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9924AGO-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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AP9924AGO-HF Datasheet (PDF)

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AP9924AGO-HF

AP9924AGO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 22m Halogen Free & RoHS Compliant Product ID 5AG2S2S2DDescriptionG1S1S1TSSOP-8DAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

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AP9924AGO-HF

AP9924GORoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low on-resistance S2 BVDSS 20VS2D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 20mG1S1S1 RoHS Compliant ID 6.8ATSSOP-8DDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching, G2G1ruggedized devic

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AP9924AGO-HF

AP9926GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30mD1 Surface Mount Package ID 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionD2D1AP9926 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process te

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AP9924AGO-HF

AP9928GEOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 23m G1S1Optimal DC/DC battery application S1 ID 5A TSSOP-8D1DescriptionD1 D2The Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1 G

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History: BSZ035N03LSG | 2SK3506

 

 
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