Справочник MOSFET. AP9924AGO-HF

 

AP9924AGO-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9924AGO-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9924AGO-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
ap9924ago-hf.pdfpdf_icon

AP9924AGO-HF

AP9924AGO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 22m Halogen Free & RoHS Compliant Product ID 5AG2S2S2DDescriptionG1S1S1TSSOP-8DAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 8.1. Size:92K  ape
ap9924go.pdfpdf_icon

AP9924AGO-HF

AP9924GORoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low on-resistance S2 BVDSS 20VS2D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 20mG1S1S1 RoHS Compliant ID 6.8ATSSOP-8DDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching, G2G1ruggedized devic

 9.1. Size:60K  ape
ap9926gm-hf.pdfpdf_icon

AP9924AGO-HF

AP9926GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30mD1 Surface Mount Package ID 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionD2D1AP9926 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process te

 9.2. Size:71K  ape
ap9928geo.pdfpdf_icon

AP9924AGO-HF

AP9928GEOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 23m G1S1Optimal DC/DC battery application S1 ID 5A TSSOP-8D1DescriptionD1 D2The Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1 G

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STL60P4LLF6 | RJK03F8DNS | BLF6G27LS-40P | AMA922N | IXTA90N055T | PMDT290UNE | STF4N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.