AP9924AGO-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9924AGO-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для AP9924AGO-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9924AGO-HF даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap9924ago-hf.pdf pdf_icon

AP9924AGO-HF

AP9924AGO-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 22m Halogen Free & RoHS Compliant Product ID 5A G2 S2 S2 D Description G1 S1 S1 TSSOP-8 D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 8.1. Size:92K  ape
 ap9924go.pdf pdf_icon

AP9924AGO-HF

AP9924GO RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET G2 Low on-resistance S2 BVDSS 20V S2 D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 20m G1 S1 S1 RoHS Compliant ID 6.8A TSSOP-8 D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G2 G1 ruggedized devic

 9.1. Size:60K  ape
 ap9926gm-hf.pdf pdf_icon

AP9924AGO-HF

AP9926GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D2 D2 D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30m D1 Surface Mount Package ID 6A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description D2 D1 AP9926 series are from Advanced Power innovated design and silicon process te

 9.2. Size:71K  ape
 ap9928geo.pdf pdf_icon

AP9924AGO-HF

AP9928GEO Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET G2 Low on-resistance BVDSS 20V S2 S2 D2 Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 23m G1 S1 Optimal DC/DC battery application S1 ID 5A TSSOP-8 D1 Description D1 D2 The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G1 G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP98T06GP, AP98T06GS-HF, AP98T07GP-HF, AP9918GJ, AP9920GEO, AP9922AGEO-HF, AP9922GEO-HF, AP9923GEO-HF, 10N60, AP9924GO, AP9926GEM, AP9926GEO-HF, AP9926GM-HF, AP9926GO, AP9928GEM, AP9928GEO, AP9930AGM