AP9962GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP9962GJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP9962GJ

AP9962GJ Datasheet (PDF)

..1. Size:98K ape
ap9962gh ap9962gj.pdf

AP9962GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD Single Drive Requirement RDS(ON) 20m Surface Mount Package ID 32AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-resistance an

7.1. Size:89K ape
ap9962gma.pdf

AP9962GMAPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET SO-8 similar area footprint and pin assignment BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 20mD Fast Switching Speed ID 36A RoHS CompliantGSDDescriptionThe APAK-5 package is preferred for all commercial-industrialSsurface mount applications and suited for low

7.2. Size:210K ape
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AP9962GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 25mD1D1 Surface Mount Package ID 7AG2 RoHS CompliantS2G1S1SO-8DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching

7.3. Size:205K ape
ap9962gm.pdf

AP9962GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 25mD1D1 Surface Mount Package ID 7AG2S2G1S1SO-8DescriptionD2Advanced Power MOSFETs from APEC provide theD1designer with the best combination of fast switching,ruggedized device

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Liste

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