2SK508 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK508
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Paquete / Cubierta: SC-59

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK508

2SK508 Datasheet (PDF)

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2sk508.pdf

DATA SHEETJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK508HIGH FREQUENCY AMPLIFIER N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DRAWING (Unit: mm) DESCRIPTION The 2SK508 is low input capacitance and High forward transfer 2.8 0.2+0.1admittance, it is suitable for AM tuner, wireless installation and 0.65 0.151.5cordless telephone. 2 FEATURES

..2. Size:139K utc
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SK508 Preliminary N-CHANNEL JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT 3TRANSISTOR 12 DESCRIPTION SOT-23(EIAJ TO-236)The UTC 2SK508 is NPN transistor with High forward transferadmittance and low input capacitance. It is suitable for cordless telephone, AM tuner and wirelessinstallation, etc. FEATURES

9.1. Size:515K 1
2sk104 2sk105 2sk162 2sk163 2sk193 2sk195 2sk505 2sk507 2sk514 2sk518 2sk519 2sk523 2sk533 2sk660 2sk997 2sk998 2sk1000 2sk1109.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: