Справочник MOSFET. 2SK508

 

2SK508 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK508
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: SC-59
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK508 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  nec
2sk508.pdfpdf_icon

2SK508

DATA SHEETJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK508HIGH FREQUENCY AMPLIFIER N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DRAWING (Unit: mm) DESCRIPTION The 2SK508 is low input capacitance and High forward transfer 2.8 0.2+0.1admittance, it is suitable for AM tuner, wireless installation and 0.65 0.151.5cordless telephone. 2 FEATURES

 ..2. Size:139K  utc
2sk508.pdfpdf_icon

2SK508

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SK508 Preliminary N-CHANNEL JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT 3TRANSISTOR 12 DESCRIPTION SOT-23(EIAJ TO-236)The UTC 2SK508 is NPN transistor with High forward transferadmittance and low input capacitance. It is suitable for cordless telephone, AM tuner and wirelessinstallation, etc. FEATURES

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.