2SK508 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK508
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: SC-59
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2SK508 Datasheet (PDF)
2sk508.pdf

DATA SHEETJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK508HIGH FREQUENCY AMPLIFIER N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DRAWING (Unit: mm) DESCRIPTION The 2SK508 is low input capacitance and High forward transfer 2.8 0.2+0.1admittance, it is suitable for AM tuner, wireless installation and 0.65 0.151.5cordless telephone. 2 FEATURES
2sk508.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SK508 Preliminary N-CHANNEL JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT 3TRANSISTOR 12 DESCRIPTION SOT-23(EIAJ TO-236)The UTC 2SK508 is NPN transistor with High forward transferadmittance and low input capacitance. It is suitable for cordless telephone, AM tuner and wirelessinstallation, etc. FEATURES
2sk104 2sk105 2sk162 2sk163 2sk193 2sk195 2sk505 2sk507 2sk514 2sk518 2sk519 2sk523 2sk533 2sk660 2sk997 2sk998 2sk1000 2sk1109.pdf

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: MCH3484 | DMN30H4D0L
History: MCH3484 | DMN30H4D0L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218