2SK508 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK508
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3.5 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: SC-59
2SK508 Datasheet (PDF)
2sk508.pdf
DATA SHEETJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK508HIGH FREQUENCY AMPLIFIER N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DRAWING (Unit: mm) DESCRIPTION The 2SK508 is low input capacitance and High forward transfer 2.8 0.2+0.1admittance, it is suitable for AM tuner, wireless installation and 0.65 0.151.5cordless telephone. 2 FEATURES
2sk508.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SK508 Preliminary N-CHANNEL JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT 3TRANSISTOR 12 DESCRIPTION SOT-23(EIAJ TO-236)The UTC 2SK508 is NPN transistor with High forward transferadmittance and low input capacitance. It is suitable for cordless telephone, AM tuner and wirelessinstallation, etc. FEATURES
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918