2SJ598-Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SJ598-Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.102 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ598-Z

2SJ598-Z Datasheet (PDF)

..1. Size:1671K kexin
2sj598-z.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET2SJ598-ZTO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features VDS (V) =-60V ID =-12 A0.127 RDS(ON) 130m (VGS =-10V)+0.10.80-0.1max RDS(ON) 190m (VGS =-4V) Low Ciss: Ciss = 720 pF (TYP.)+ 0.12.3 0.60- 0.11 Gate+0.154 .60 -0.152 DrainDrain 3 SourceBod

0.1. Size:831K cn vbsemi
2sj598-z-e1.pdf

2SJ598-Z-E1www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter S

8.1. Size:153K nec
2sj598.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ598SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FETDESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SJ598 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed PART NUMBER PACKAGE for solenoid, motor and lamp driver. 2SJ598 TO-251 (MP-3)2SJ598-Z TO-252 (MP-3Z)FEATURES Low on-state resistance: RDS(on)1 = 130 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 6 A) RDS(on

8.2. Size:255K inchange semiconductor
2sj598.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ598FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)130mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBuilt in gate protection diodeABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage -60 VDSSV

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: