3SK324 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3SK324
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 6 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.5 V
Paquete / Cubierta: CMPAK-4
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3SK324
3SK324 Datasheet (PDF)
3sk324.pdf
3SK324 Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier REJ03G0532-0100 Rev.1.00 May 18, 2005 Features Low noise characteristics; NF = 1.0 dB typ. (at f = 900 MHz) High gain characteristics; PG = 24 dB typ. (at f = 900 MHz) Capable low voltage operation; +B = 3.5 V High Endurance Voltage; VDS = 6 V Outline RENESAS Package code: PTSP0004ZA-A(Package n
3sk323.pdf
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