3SK324 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3SK324

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 6 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Encapsulados: CMPAK-4

 Búsqueda de reemplazo de 3SK324 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3SK324 datasheet

 ..1. Size:85K  renesas
 3sk324.pdf pdf_icon

3SK324

3SK324 Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier REJ03G0532-0100 Rev.1.00 May 18, 2005 Features Low noise characteristics; NF = 1.0 dB typ. (at f = 900 MHz) High gain characteristics; PG = 24 dB typ. (at f = 900 MHz) Capable low voltage operation; +B = 3.5 V High Endurance Voltage; VDS = 6 V Outline RENESAS Package code PTSP0004ZA-A (Package n

 9.1. Size:201K  renesas
 3sk323.pdf pdf_icon

3SK324

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Otros transistores... 3SK258, 3SK259, 3SK260, 3SK291, 3SK292, 3SK293, 3SK294, 3SK318, 2SK3878, 2N2608, 2N2609, 2N3684, 2N3685, 2N3686, 2N3687, 2N3796, 2N3797