2N4339 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4339

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 1.8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1700 Ohm

Encapsulados: TO-18

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2N4339 datasheet

 ..1. Size:75K  vishay
 2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf pdf_icon

2N4339

2N4338/4339/4340/4341 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Max (mA) 2N4338 -0.3 to -1 -50 0.6 0.6 2N4339 -0.6 to -1.8 -50 0.8 1.5 2N4340 -1 to -3 -50 1.3 3.6 2N4341 -2 to -6 -50 2 9 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low Cutoff Voltage 2N4338

 ..2. Size:19K  calogic
 2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf pdf_icon

2N4339

N-Channel JFET Low Noise Amplifier CORPORATION 2N4338 2N4341 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise noted) A Exceptionally High Figure of Merit Radiation Immunity Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -50V Extremely Low Noise and Capacitance Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 9.1. Size:304K  general electric
 2n433 2n434.pdf pdf_icon

2N4339

Otros transistores... 2N4221, 2N4222, 2N4220A, 2N4221A, 2N4222A, 2N4223, 2N4224, 2N4338, IRFZ48N, 2N4340, 2N4341, 2N4351, 2N4352, 2N4856A, 2N4857A, 2N4858A, 2N4856