2N4339 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N4339
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1.8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.3 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1700 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N4339

2N4339 Datasheet (PDF)

..1. Size:75K vishay
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf

2N4338/4339/4340/4341Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Max (mA)2N4338 -0.3 to -1 -50 0.6 0.62N4339 -0.6 to -1.8 -50 0.8 1.52N4340 -1 to -3 -50 1.3 3.62N4341 -2 to -6 -50 2 9FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low Cutoff Voltage: 2N4338

..2. Size:19K calogic
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf

N-Channel JFETLow Noise AmplifierCORPORATION2N4338 2N4341FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise noted)A Exceptionally High Figure of Merit Radiation Immunity Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -50V Extremely Low Noise and Capacitance Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

9.1. Size:304K general electric
2n433 2n434.pdf

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History: IXFV18N90PS

Liste

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