Справочник MOSFET. 2N4339

 

2N4339 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N4339
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1700 Ohm
   Тип корпуса: TO-18
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N4339 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  vishay
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdfpdf_icon

2N4339

2N4338/4339/4340/4341Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Max (mA)2N4338 -0.3 to -1 -50 0.6 0.62N4339 -0.6 to -1.8 -50 0.8 1.52N4340 -1 to -3 -50 1.3 3.62N4341 -2 to -6 -50 2 9FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low Cutoff Voltage: 2N4338

 ..2. Size:19K  calogic
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdfpdf_icon

2N4339

N-Channel JFETLow Noise AmplifierCORPORATION2N4338 2N4341FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise noted)A Exceptionally High Figure of Merit Radiation Immunity Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -50V Extremely Low Noise and Capacitance Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 9.1. Size:304K  general electric
2n433 2n434.pdfpdf_icon

2N4339

Другие MOSFET... 2N4221 , 2N4222 , 2N4220A , 2N4221A , 2N4222A , 2N4223 , 2N4224 , 2N4338 , RU6888R , 2N4340 , 2N4341 , 2N4351 , 2N4352 , 2N4856A , 2N4857A , 2N4858A , 2N4856 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.