2N4341 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4341
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 800 Ohm
Encapsulados: TO-18
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2N4341 datasheet
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf
2N4338/4339/4340/4341 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Max (mA) 2N4338 -0.3 to -1 -50 0.6 0.6 2N4339 -0.6 to -1.8 -50 0.8 1.5 2N4340 -1 to -3 -50 1.3 3.6 2N4341 -2 to -6 -50 2 9 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low Cutoff Voltage 2N4338
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf
N-Channel JFET Low Noise Amplifier CORPORATION 2N4338 2N4341 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise noted) A Exceptionally High Figure of Merit Radiation Immunity Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -50V Extremely Low Noise and Capacitance Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Otros transistores... 2N4220A, 2N4221A, 2N4222A, 2N4223, 2N4224, 2N4338, 2N4339, 2N4340, IRF830, 2N4351, 2N4352, 2N4856A, 2N4857A, 2N4858A, 2N4856, 2N4857, 2N4858
History: SJMN088R65W | 2N4351
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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