2N4860A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4860A

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 40 Ohm

Encapsulados: TO-18 TO-206AA

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2N4860A datasheet

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com N-CHANNEL J-FET Equivalent To MIL-PRF-19500/385 DEVICES LEVELS MQ = JAN Equivalent 2N4856 2N4858 2N4860 MX = JANTX Equivalent 2N4857 2N4859 2N4861 MV = JANTXV Equivalent ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted

 9.1. Size:68K  central
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2N4860A

TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com

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