2N6960 Todos los transistores

 

2N6960 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6960
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204
 

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2N6960 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

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 9.2. Size:1095K  ixys
 2n6963 2n6965 2n7100 2n7101 2n7102 2n710.pdf pdf_icon

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 9.3. Size:61K  microsemi
 2n696 2n697.pdf pdf_icon

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TECHNICAL DATA NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/99 Devices Qualified Level 2N696 2N697 JAN 2N696S 2N697S MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Total Power Dissipation @ T = 250C (1) 0.6 W APT @ T = 250C (2) 2.0 W C0Operating & Storage Juncti

 9.4. Size:270K  siliconix
 2n6962.pdf pdf_icon

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History: FQPF9P25

 

 
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