FRM234H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRM234H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 104 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO204AA

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FRM234H datasheet

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FRM234H

FRM234D, FRM234R, FRM234H 7A, 250V, 0.70 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 7A, 250V, RDS(on) = 0.70 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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FRM234H

FRM230D, FRM230R, FRM230H 8A, 200V, 0.50 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 8A, 200V, RDS(on) = 0.50 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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FRM234H

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor FRM230 FEATURES 8A, 200V, RDS(on) = 0.5 Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION It is specially designed and processed to exhibit minimal characteristic changes to total dose and neutron exposures.

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