2N4868 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4868
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 3 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Encapsulados: TO-72
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2N4868 datasheet
2n4867-a 2n4868-a 2n4869-a.pdf
Databook.fxp 1/14/99 12 00 PM Page B-17 01/99 B-17 2N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869A N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Audio Amplifiers Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 40 V Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 300mW Power Derating 1.7 mW/ C Storage Temperature Range 6
2n4856a 2n4857a 2n4858a 2n4859a 2n4860a 2n4861a.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n4863.pdf
TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com
Otros transistores... 2N4858, 2N4859, 2N4860, 2N4861, 2N4859A, 2N4860A, 2N4861A, 2N4867, IRF3205, 2N4869, 2N4867A, 2N4868A, 2N4869A, 2N5020, 2N5021, 2N5114, 2N5115
History: 19N10L-T3P-T | IRFP264N | IRF260B | APT5025BN
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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