2N4869A Todos los transistores

 

2N4869A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4869A
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0075 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: TO-72
 

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2N4869A Datasheet (PDF)

 8.1. Size:63K  interfet
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2N4869A

Databook.fxp 1/14/99 12:00 PM Page B-1701/99 B-172N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869AN-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio AmplifiersReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 40 VGate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 300mWPower Derating 1.7 mW/CStorage Temperature Range 6

 9.1. Size:278K  motorola
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2N4869A

 9.2. Size:82K  central
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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

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2N4869A

TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com

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History: IPB12CN10NG | UT100N03G-TA3-T | SL3400 | PSMN7R0-30YLC | IPD95R450P7 | UF3205 | 2N5398

 

 
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