2N4869A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N4869A
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0075 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Тип корпуса: TO-72
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2N4869A Datasheet (PDF)
2n4867-a 2n4868-a 2n4869-a.pdf

Databook.fxp 1/14/99 12:00 PM Page B-1701/99 B-172N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869AN-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio AmplifiersReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 40 VGate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 300mWPower Derating 1.7 mW/CStorage Temperature Range 6
2n4856a 2n4857a 2n4858a 2n4859a 2n4860a 2n4861a.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n4863.pdf

TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FDD9410L-F085 | OSG65R200FEF-NB | 2N7002W | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV
History: FDD9410L-F085 | OSG65R200FEF-NB | 2N7002W | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet