2N5116 Todos los transistores

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2N5116 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5116

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 150 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-18

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2N5116 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5114 2n5115 2n5116.pdf Size:85K _central

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

1.2. 2n5114 2n5115 2n5116.pdf Size:33K _calogic

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P-Channel JFET Switch CORPORATION 2N5114 2N5116 GENERAL DESCRIPTION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise noted) A Ideal for inverting switching or "Virtual Gnd" switching into inverting input of Op. Amp. No driver is required and 10VAC Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V signals can be handled using only +5V logic (TTL or CMOS). Gate Cu

5.1. 2n5117 2n5118 2n5119.pdf Size:64K _intersil

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