2N5397 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5397
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-72
Búsqueda de reemplazo de 2N5397 MOSFET
2N5397 Datasheet (PDF)
2n5397 2n5398.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer
Otros transistores... 2N5115 , 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 , 2N5246 , IRF3710 , 2N5398 , 2N5432 , 2N5433 , 2N5434 , 2N5452 , 2N5453 , 2N5454 , 2N5457 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM12T08C | AGM1099EL | AGM1095M | AGM628DM1 | AGM628D | AGM628AP | AGMH603H | AGMH6035D | AGMH6018C | AGMH12N10C | AGMH12H05H | AGMH10P15D | AGMH10P15C | AP60P02D | AP60N06F | AP60N04NF
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