2N5397. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5397

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-72

Аналог (замена) для 2N5397

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5397 даташит

 ..1. Size:91K  interfet
 2n5397 2n5398.pdf pdf_icon

2N5397

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-20 B-20 01/99 2N5397, 2N5398 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low-Noise Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power Gain Drain Source Voltage 25 V High Transconductance Continuous Forward Gate Current 10 mA Continuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Другие IGBT... 2N5115, 2N5116, 2N5196, 2N5197, 2N5198, 2N5199, 2N5245, 2N5246, IRFB4227, 2N5398, 2N5432, 2N5433, 2N5434, 2N5452, 2N5453, 2N5454, 2N5457