Справочник MOSFET. 2N5397

 

2N5397 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N5397
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Тип корпуса: TO-72
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5397 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  interfet
 2n5397 2n5398.pdf pdf_icon

2N5397

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Другие MOSFET... 2N5115 , 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 , 2N5246 , IRFB4110 , 2N5398 , 2N5432 , 2N5433 , 2N5434 , 2N5452 , 2N5453 , 2N5454 , 2N5457 .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.