2N5398 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5398
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-72
Búsqueda de reemplazo de 2N5398 MOSFET
2N5398 Datasheet (PDF)
2n5397 2n5398.pdf

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer
Otros transistores... 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 , 2N5246 , 2N5397 , IRFB4115 , 2N5432 , 2N5433 , 2N5434 , 2N5452 , 2N5453 , 2N5454 , 2N5457 , 2N5458 .
History: UP9971G-S08-R | UT100N03G-TA3-T | SL3400 | DMP6110SSD | IPD95R450P7 | UF3205 | NCE30P60G
History: UP9971G-S08-R | UT100N03G-TA3-T | SL3400 | DMP6110SSD | IPD95R450P7 | UF3205 | NCE30P60G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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