2N5398 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5398
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-72
- Selección de transistores por parámetros
2N5398 Datasheet (PDF)
2n5397 2n5398.pdf

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 2SK3272-01SJ | SM8205AO
History: 2SK3272-01SJ | SM8205AO



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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