2N5398 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5398

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Encapsulados: TO-72

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N5398 datasheet

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2N5398

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-20 B-20 01/99 2N5397, 2N5398 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low-Noise Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power Gain Drain Source Voltage 25 V High Transconductance Continuous Forward Gate Current 10 mA Continuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Otros transistores... 2N5116, 2N5196, 2N5197, 2N5198, 2N5199, 2N5245, 2N5246, 2N5397, IRF3710, 2N5432, 2N5433, 2N5434, 2N5452, 2N5453, 2N5454, 2N5457, 2N5458