2N5398 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N5398
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Paquete / Cubierta: TO-72

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N5398

2N5398 Datasheet (PDF)

..1. Size:91K interfet
2n5397 2n5398.pdf

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: