2N5398 Todos los transistores

 

2N5398 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5398
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: TO-72
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N5398 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N5398 Datasheet (PDF)

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2N5398

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Otros transistores... 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 , 2N5246 , 2N5397 , IRF3710 , 2N5432 , 2N5433 , 2N5434 , 2N5452 , 2N5453 , 2N5454 , 2N5457 , 2N5458 .

History: IXFH69N30P | IRF3704L | IRF2907ZLPBF | SRM6N60TF | STD9N65M2 | IRF3610SPBF

 

 
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