2N5398 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2N5398
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A
Тип корпуса: TO-72
Аналог (замена) для 2N5398
2N5398 Datasheet (PDF)
2n5397 2n5398.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer
Другие MOSFET... 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 , 2N5246 , 2N5397 , IRF3710 , 2N5432 , 2N5433 , 2N5434 , 2N5452 , 2N5453 , 2N5454 , 2N5457 , 2N5458 .
History: 3SK74 | IPI80N04S2-04 | IPI70N10S3-12 | IXFH88N30P | IXFH86N30T | IXFH70N20Q3 | IRF3703PBF
History: 3SK74 | IPI80N04S2-04 | IPI70N10S3-12 | IXFH88N30P | IXFH86N30T | IXFH70N20Q3 | IRF3703PBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo


