2N5432 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5432

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 1 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-52, TO-206AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N5432

2N5432 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5432 2n5433 2n5434.pdf Size:51K _vishay

2N5432/5433/5434 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns) 2N5432 �4 to �10 5 10 2.5 2N5433 �3 to �9 7 10 2.5 2N5434 �1 to �4 10 10 2.5 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance: 2N5432 <5 W D Low Error Voltage D Analog Switches D Fast Switching�tON: 2.5 ns D High-Speed Analog Circuit Performance D Cho

5.1. 2n5430x.pdf Size:11K _upd

2N5430X Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar NPN Device. 1 2 VCEO = 100V IC = 7A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS spec

5.2. 2n5427-29 2n5430.pdf Size:132K _mospec

A A A

5.3. 2n5430.pdf Size:45K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5430 DESCRIPTION ·Contunuous Collector Current-IC= 7A ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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Liste

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