2N5433 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2N5433 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5433

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 9 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: TO-52 TO-206AC

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2N5433 datasheet

..1. Size:51K vishay
2n5432 2n5433 2n5434.pdf pdf_icon

2N5432/5433/5434 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns) 2N5432 4 to 10 5 10 2.5 2N5433 3 to 9 7 10 2.5 2N5434 1 to 4 10 10 2.5 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 2N5432

9.1. Size:132K mospec
2n5427-29 2n5430.pdf pdf_icon

A A A

9.2. Size:11K semelab
2n5430x.pdf pdf_icon

2N5430X Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar NPN Device. 1 2 VCEO = 100V IC = 7A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS spec

9.3. Size:45K inchange semiconductor
2n5430.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5430 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE

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