Справочник MOSFET. 2N5433


2N5433 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N5433

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 1 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 7 Ohm

Тип корпуса: TO-52 TO-206AC

Аналог (замена) для 2N5433



2N5433 Datasheet (PDF)

0.1. 2n5432 2n5433 2n5434.pdf Size:51K _vishay


2N5432/5433/5434Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)2N5432 4 to 10 5 10 2.52N5433 3 to 9 7 10 2.52N5434 1 to 4 10 10 2.5FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 2N5432

9.1. 2n5427-29 2n5430.pdf Size:132K _mospec



9.2. 2n5430x.pdf Size:11K _semelab


2N5430XDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250)Metal Package. 8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.4.08(0.161)rad.Bipolar NPN Device. 1 2VCEO = 100V IC = 7A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS spec

 9.3. 2n5430.pdf Size:45K _inchange_semiconductor


INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5430 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .


Back to Top