IRFB4110 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFB4110 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFB4110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRFB4110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB4110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  international rectifier
irfb4110pbf.pdfpdf_icon

IRFB4110

IRFB4110PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS 100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.l Uninterruptible Power Supply3.7ml High Speed Power Switching max.4.5ml Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited) 180A S ID (Package Limited)120ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dtDRuggedness

 ..2. Size:809K  cn evvo
irfb4110.pdfpdf_icon

IRFB4110

IRFB4110100 V N-Channel MOSFETApplicationsl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency CircuitsBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dtRuggednessl Fully Characterized Capacitance and AvalancheSOADl Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capabilityl Lead Freel

 ..3. Size:1046K  cn minos
irfb4110.pdfpdf_icon

IRFB4110

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe IRFB4110 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can beDS(ON)used in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 180A R

 ..4. Size:245K  inchange semiconductor
irfb4110.pdfpdf_icon

IRFB4110

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4110IIRFB4110FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 4.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

Другие MOSFET... IRFB33N15D , IRFB3507 , IRFB3607 , IRFB3607G , IRFB3806 , IRFB38N20D , IRFB4019 , IRFB4020 , IRFP064N , IRFB4110G , IRFB4110Q , IRFB4115 , IRFB4115G , IRFB4127 , IRFB41N15D , IRFB4212 , IRFB4227 .

 

 
Back to Top

 


 
.