SLD8N50UD - аналоги и даташиты транзистора

 

SLD8N50UD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLD8N50UD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.96 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SLD8N50UD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLD8N50UD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5144K  maple semi
 sld8n50ud.pdf pdf_icon

SLD8N50UD

SLD8N50UD500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 8A, 500V, RDS(on),typ =0.82planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 20nC)has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switchingvide superior switching performance, and withstand high en-

 9.1. Size:4841K  maple semi
 sld8n65sv.pdf pdf_icon

SLD8N50UD

SLD8N65SV650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 8A, 650V, RDS(on),typ =1.3planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 20nC)has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switchingvide superior switching performance, and withstand high en-

Другие MOSFET... SLP730S , SLT65R180E7C , SLT70R180E7C , SLU4N65U , SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , IRF3710 , SLD8N65SV , SLD90N02TB , SLD90N03TB , SLD95R3K2GTZ , SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S .

History: IRF720 | IRFR120NPBF

 

 
Back to Top

 


 
.