SLD8N50UD Todos los transistores

 

SLD8N50UD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLD8N50UD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.96 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SLD8N50UD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5144K  maple semi
 sld8n50ud.pdf pdf_icon

SLD8N50UD

SLD8N50UD500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 8A, 500V, RDS(on),typ =0.82planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 20nC)has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switchingvide superior switching performance, and withstand high en-

 9.1. Size:4841K  maple semi
 sld8n65sv.pdf pdf_icon

SLD8N50UD

SLD8N65SV650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 8A, 650V, RDS(on),typ =1.3planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 20nC)has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switchingvide superior switching performance, and withstand high en-

Otros transistores... SLP730S , SLT65R180E7C , SLT70R180E7C , SLU4N65U , SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , IRF3710 , SLD8N65SV , SLD90N02TB , SLD90N03TB , SLD95R3K2GTZ , SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S .

History: IRFR120NPBF | IRF720

 

 
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