SLH95R130GTZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLH95R130GTZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SLH95R130GTZ
SLH95R130GTZ Datasheet (PDF)
slh95r130gtz.pdf

SLH95R130GTZ950V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 34.9A, 950V, RDS(on),Typ = 110mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 110nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior swit
Другие MOSFET... SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI , SLH65R180E7C , SKD502T , SLI13N50C , MD100N20 , MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 .
History: FDD6030L | TMP5N60AZ | MDT30P10D | FMV06N60ES | IRF540S | MD100N20 | IXFN48N50U3
History: FDD6030L | TMP5N60AZ | MDT30P10D | FMV06N60ES | IRF540S | MD100N20 | IXFN48N50U3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3409MI | AP3407MI | AP3407AI | AP3404BI | AP3401MI | AP3401AI | AP3400MI-L | AP3400DI | AP3400CI | AP3400BI | AP3400AI | AP320N04TLG5 | AP30P10P | AP30P06D | AP30P03DF | AP13P20D
Popular searches
2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet