SLH95R130GTZ - аналоги и даташиты транзистора

 

SLH95R130GTZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLH95R130GTZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SLH95R130GTZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLH95R130GTZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6496K  maple semi
 slh95r130gtz.pdf pdf_icon

SLH95R130GTZ

SLH95R130GTZ950V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 34.9A, 950V, RDS(on),Typ = 110mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 110nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior swit

Другие MOSFET... SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI , SLH65R180E7C , STP75NF75 , SLI13N50C , MD100N20 , MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.