SLH95R130GTZ Todos los transistores

 

SLH95R130GTZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLH95R130GTZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SLH95R130GTZ Datasheet (PDF)

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SLH95R130GTZ

SLH95R130GTZ950V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 34.9A, 950V, RDS(on),Typ = 110mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 110nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior swit

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History: IRFBA1404 | FMV06N60ES | IXFN48N50U3 | IRF540S | TMP5N60AZ | MDT30P10D | MD100N20

 

 
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