SLH95R130GTZ Todos los transistores

 

SLH95R130GTZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLH95R130GTZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 950 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: TO247

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SLH95R130GTZ datasheet

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SLH95R130GTZ

SLH95R130GTZ 950V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFET General Description Features This power MOSFET is produced by using Msemitek s ad- 34.9A, 950V, RDS(on),Typ = 110m vanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 110nC) technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggedness resistance, provide superior swit

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History: CM13N50F | FDMS7602S

 

 

 

 

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