SLH65R180E7C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLH65R180E7C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SLH65R180E7C
SLH65R180E7C Datasheet (PDF)
slh65r180e7c.pdf
SLH65R180E7C650V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 22A, 650V, RDS(on),Typ = 150mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 34nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior switchi
Другие MOSFET... SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI , 2SK3878 , SLH95R130GTZ , SLI13N50C , MD100N20 , MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet


