SLH65R180E7C Todos los transistores

 

SLH65R180E7C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLH65R180E7C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 205 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO247

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SLH65R180E7C datasheet

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SLH65R180E7C

SLH65R180E7C 650V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFET General Description Features This power MOSFET is produced by using Msemitek s ad- 22A, 650V, RDS(on),Typ = 150m vanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 34nC) technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggedness resistance, provide superior switchi

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