2N5197 - описание и поиск аналогов

 

2N5197 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N5197
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.007 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-71
 

 Аналог (замена) для 2N5197

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5197 технические параметры

 ..1. Size:65K  vishay
2n5196 2n5197 2n5198 2n5199.pdfpdf_icon

2N5197

2N5196/5197/5198/5199 Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Duals PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5196 0.7 to 4 50 1 15 5 2N5197 0.7 to 4 50 1 15 5 2N5198 0.7 to 4 50 1 15 10 2N5199 0.7 to 4 50 1 15 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Monolithic Design D T

 9.1. Size:217K  motorola
2n5191 2n5192.pdfpdf_icon

2N5197

 9.2. Size:212K  motorola
2n5194 2n5195.pdfpdf_icon

2N5197

Order this document MOTOROLA by 2N5194/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N5194 2N5195* Silicon PNP Power Transistors *Motorola Preferred Device . . . for use in power amplifier and switching circuits, excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192 4 AMPERE POWER TRANSISTORS

 9.3. Size:230K  st
2n5191 2n5192.pdfpdf_icon

2N5197

2N5191 2N5192 NPN power transistors Features NPN transistors Applications Linear and switching industrial equipment Description 1 2 The devices are manufactured in Planar 3 technology with Base Island layout. The SOT-32 resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP type of 2N5192 is 2N5195. Figure

Другие MOSFET... 2N4868A , 2N4869A , 2N5020 , 2N5021 , 2N5114 , 2N5115 , 2N5116 , 2N5196 , IRLZ44N , 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 , 2N5246 , 2N5397 , 2N5398 , 2N5432 , 2N5433 .

 

 
Back to Top

 


 
.