SLF95R760GTZ - описание и поиск аналогов

 

SLF95R760GTZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLF95R760GTZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.76 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SLF95R760GTZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF95R760GTZ даташит

 ..1. Size:2580K  maple semi
 slf95r760gtz.pdf pdf_icon

SLF95R760GTZ

SLF95R760GTZ 950V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFET General Description Features This power MOSFET is produced by using Msemitek s ad- 8.9A*, 950V, RDS(on),Typ = 670m vanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 23nC) technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggedness resistance, provide superior switc

Другие MOSFET... SLD8N65SV , SLD90N02TB , SLD90N03TB , SLD95R3K2GTZ , SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , IRFP250N , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI , SLH65R180E7C , SLH95R130GTZ , SLI13N50C , MD100N20 , MD20N50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.