SLF95R760GTZ - аналоги и даташиты транзистора

 

SLF95R760GTZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLF95R760GTZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.76 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SLF95R760GTZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF95R760GTZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2580K  maple semi
slf95r760gtz.pdfpdf_icon

SLF95R760GTZ

SLF95R760GTZ950V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFETGeneral Description FeaturesThis power MOSFET is produced by using Msemiteks ad- 8.9A*, 950V, RDS(on),Typ = 670mvanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 23nC)technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggednessresistance, provide superior switc

Другие MOSFET... SLD8N65SV , SLD90N02TB , SLD90N03TB , SLD95R3K2GTZ , SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , STP75NF75 , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI , SLH65R180E7C , SLH95R130GTZ , SLI13N50C , MD100N20 , MD20N50 .

History: BLF6G20-110 | IRFBC30S | IXFK40N50Q2 | BLF6G20-230PRN

 

 
Back to Top

 


 
.