SLF95R760GTZ Todos los transistores

SLF95R760GTZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLF95R760GTZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 950 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.76 Ohm

Encapsulados: TO220F

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros