Справочник MOSFET. IRF6710S2

 

IRF6710S2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF6710S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF6710S2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:311K  international rectifier
 irf6710s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 97124DIRF6710S2TRPbFIRF6710S2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (

 8.1. Size:302K  international rectifier
 irf6711spbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 96280IRF6711SPbFIRF6711STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:256K  international rectifier
 irf6714mpbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 96130AIRF6714MPbFIRF6714MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen Free l Low Profile (

 8.3. Size:218K  international rectifier
 irf6717mpbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 97345CIRF6717MPbFIRF6717MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halgen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF6665 , IRF6668 , IRF6674 , IRF6678 , IRF6691 , IRF6706S2 , IRF6708S2 , IRF6709S2 , P0903BDG , IRF6711S , IRF6712S , IRF6713S , IRF6714M , IRF6715M , IRF6716M , IRF6717M , IRF6718L2 .

 

 
Back to Top

 


 
.