IRF6710S2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF6710S2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
IRF6710S2 Datasheet (PDF)
irf6710s2trpbf.pdf

PD - 97124DIRF6710S2TRPbFIRF6710S2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (
irf6711spbf.pdf

PD - 96280IRF6711SPbFIRF6711STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6714mpbf.pdf

PD - 96130AIRF6714MPbFIRF6714MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen Free l Low Profile (
irf6717mpbf.pdf

PD - 97345CIRF6717MPbFIRF6717MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halgen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
Другие MOSFET... IRF6665 , IRF6668 , IRF6674 , IRF6678 , IRF6691 , IRF6706S2 , IRF6708S2 , IRF6709S2 , P0903BDG , IRF6711S , IRF6712S , IRF6713S , IRF6714M , IRF6715M , IRF6716M , IRF6717M , IRF6718L2 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c