IRF6710S2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF6710S2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: DIRECTFET

Аналог (замена) для IRF6710S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF6710S2 даташит

 0.1. Size:311K  international rectifier
 irf6710s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 97124D IRF6710S2TRPbF IRF6710S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

 8.1. Size:302K  international rectifier
 irf6711spbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 96280 IRF6711SPbF IRF6711STRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:256K  international rectifier
 irf6714mpbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 96130A IRF6714MPbF IRF6714MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant and Halogen Free l Low Profile (

 8.3. Size:218K  international rectifier
 irf6717mpbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 97345C IRF6717MPbF IRF6717MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant and Halgen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF6665, IRF6668, IRF6674, IRF6678, IRF6691, IRF6706S2, IRF6708S2, IRF6709S2, IRF1407, IRF6711S, IRF6712S, IRF6713S, IRF6714M, IRF6715M, IRF6716M, IRF6717M, IRF6718L2