IRF6710S2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF6710S2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6710S2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6710S2 datasheet

0.1. Size:311K international rectifier
irf6710s2trpbf.pdf pdf_icon

PD - 97124D IRF6710S2TRPbF IRF6710S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

8.1. Size:302K international rectifier
irf6711spbf.pdf pdf_icon

PD - 96280 IRF6711SPbF IRF6711STRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

8.2. Size:256K international rectifier
irf6714mpbf.pdf pdf_icon

PD - 96130A IRF6714MPbF IRF6714MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant and Halogen Free l Low Profile (

8.3. Size:218K international rectifier
irf6717mpbf.pdf pdf_icon

PD - 97345C IRF6717MPbF IRF6717MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant and Halgen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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