IRF6710S2 Todos los transistores

 

IRF6710S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF6710S2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
 

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IRF6710S2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:311K  international rectifier
 irf6710s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 97124DIRF6710S2TRPbFIRF6710S2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (

 8.1. Size:302K  international rectifier
 irf6711spbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 96280IRF6711SPbFIRF6711STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:256K  international rectifier
 irf6714mpbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 96130AIRF6714MPbFIRF6714MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen Free l Low Profile (

 8.3. Size:218K  international rectifier
 irf6717mpbf.pdf pdf_icon

IRF6710S2

PD - 97345CIRF6717MPbFIRF6717MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halgen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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History: IRF6709S2

 

 
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