Справочник MOSFET. 2N5460

 

2N5460 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N5460

Тип транзистора: JFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.005 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для 2N5460

 

 

2N5460 Datasheet (PDF)

0.1. 2n5460 2n5461 2n5462.pdf Size:116K _motorola

2N5460
2N5460

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5460/DJFET Amplifiers2N5460P Channel Depletion2 DRAINthru2N54623GATE1 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Valu

0.2. 2n5460 2n5461 2n5462 mmbf5460 mmbf5461 mmbf5462.pdf Size:114K _fairchild_semi

2N5460
2N5460

2N5460 MMBF54602N5461 MMBF54612N5462 MMBF5462GSG TO-92 DSOT-23NOTE: Source & DrainSMark: 6E / 61U / 61V are interchangeableDP-Channel General Purpose AmplifierThis device is designed primarily for low level audio and generalpurpose applications with high impedance signal sources. Sourcedfrom Process 89.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted-

 0.3. 2n5460 sst5460 2n5461 sst5461 2n5462 sst5462.pdf Size:48K _vishay

2N5460
2N5460

2N/SST5460 SeriesVishay SiliconixP-Channel JFETs2N5460 SST54602N5461 SST54612N5462 SST5462PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)2N/SST5460 0.75 to 6 40 1 12N/SST5461 1 to 7.5 40 1.5 22N/SST5462 1.8 to 9 40 2 4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD High Input Impedance D Low Signal Loss/System Error D Low-Current, Low-Voltage

0.4. 2n5460 2n5461 2n5462.pdf Size:62K _central

2N5460

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 0.5. 2n5460 2n5461 2n5462.pdf Size:60K _onsemi

2N5460
2N5460

2N5460, 2N5461, 2N5462JFET AmplifierP-Channel - DepletionFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com2 DRAINMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3Drain - Gate Voltage VDG 40 VdcGATEReverse Gate - Source Voltage VGSR 40 VdcForward Gate Current IG(f) 10 mAdc1 SOURCETotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate above 25C 2.8 mW/CJunct

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top