SLD95R3K2GTZ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SLD95R3K2GTZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 7.5 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SLD95R3K2GTZ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SLD95R3K2GTZ даташит
sld95r3k2gtz.pdf
SLD95R3K2GTZ 950V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFET General Description Features This power MOSFET is produced by using Msemitek s ad- 3.5A, 950V, RDS(on),Typ = 2.8 vanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 9nC) technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggedness resistance, provide superior switchin
Другие MOSFET... SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , SLD8N50UD , SLD8N65SV , SLD90N02TB , SLD90N03TB , IRFB4115 , SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI .
History: AOC3860C | D2N60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor

