SLD95R3K2GTZ - описание и поиск аналогов

 

SLD95R3K2GTZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLD95R3K2GTZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SLD95R3K2GTZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLD95R3K2GTZ даташит

 ..1. Size:4976K  maple semi
sld95r3k2gtz.pdfpdf_icon

SLD95R3K2GTZ

SLD95R3K2GTZ 950V N-Channel Multi-EPI Super-junction MOSFET General Description Features This power MOSFET is produced by using Msemitek s ad- 3.5A, 950V, RDS(on),Typ = 2.8 vanced Super-junction MOSFET technology. This advanced Low gate charge (Qg,typ = 9nC) technology has been especially tailored to minimize on-state High ruggedness resistance, provide superior switchin

Другие MOSFET... SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , SLD8N50UD , SLD8N65SV , SLD90N02TB , SLD90N03TB , IRFB4115 , SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI .

History: AOC3860C | D2N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.