SLD95R3K2GTZ Todos los transistores

SLD95R3K2GTZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLD95R3K2GTZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 950 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm

Encapsulados: TO252

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros