SLD90N02TB - описание и поиск аналогов

 

SLD90N02TB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLD90N02TB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SLD90N02TB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLD90N02TB даташит

 ..1. Size:4807K  maple semi
 sld90n02tb.pdf pdf_icon

SLD90N02TB

SLD90N02TB 20V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 89.3A, 20V, RDS(on),Typ = 2.8m TRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 38nC) pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switching switching performance, and withstand high energy pulse in

 7.1. Size:2430K  maple semi
 sld90n03tb.pdf pdf_icon

SLD90N02TB

SLD90N03TB 30V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s - 99A 1), 30V, RDS(on)typ = 3.6m @VGS = 10 V RDS(on)typ = 6.5m @VGS = 4.5V advanced TRENCH technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize - Very Low On-resistance RDS(ON) - Low Crss conduction loss, provide superior switching performance, and -

Другие MOSFET... SLT70R180E7C , SLU4N65U , SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , SLD8N50UD , SLD8N65SV , 10N60 , SLD90N03TB , SLD95R3K2GTZ , SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T .

History: BS107ARL1 | FTP18N06N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.