SLD90N02TB - аналоги и даташиты транзистора

 

SLD90N02TB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLD90N02TB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SLD90N02TB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLD90N02TB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4807K  maple semi
 sld90n02tb.pdf pdf_icon

SLD90N02TB

SLD90N02TB20V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 89.3A, 20V, RDS(on),Typ = 2.8mTRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 38nC)pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switchingswitching performance, and withstand high energy pulse in

 7.1. Size:2430K  maple semi
 sld90n03tb.pdf pdf_icon

SLD90N02TB

SLD90N03TB30V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks - 99A 1), 30V, RDS(on)typ = 3.6m@VGS = 10 V RDS(on)typ = 6.5m@VGS = 4.5Vadvanced TRENCH technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize - Very Low On-resistance RDS(ON)- Low Crssconduction loss, provide superior switching performance, and-

Другие MOSFET... SLT70R180E7C , SLU4N65U , SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , SLD8N50UD , SLD8N65SV , 7N65 , SLD90N03TB , SLD95R3K2GTZ , SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T .

History: IRF7601 | IRFBC30S | BLF6G20-230PRN | IXFK40N50Q2 | BLF6G20-110 | SLF95R760GTZ | SLD90N03TB

 

 
Back to Top

 


 
.