SLD90N02TB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLD90N02TB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 89.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Encapsulados: TO252
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SLD90N02TB datasheet
sld90n02tb.pdf
SLD90N02TB 20V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced 89.3A, 20V, RDS(on),Typ = 2.8m TRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 38nC) pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switching switching performance, and withstand high energy pulse in
sld90n03tb.pdf
SLD90N03TB 30V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s - 99A 1), 30V, RDS(on)typ = 3.6m @VGS = 10 V RDS(on)typ = 6.5m @VGS = 4.5V advanced TRENCH technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize - Very Low On-resistance RDS(ON) - Low Crss conduction loss, provide superior switching performance, and -
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History: TK5A65W
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