2N5520 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5520
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.375 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 3.8 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.0075 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Empaquetado / Estuche: TO-71
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2N5520 Datasheet (PDF)
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