2N5520 Todos los transistores

 

2N5520 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5520
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 3.8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0075 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: TO-71
 

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2N5520 datasheet

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2N5520

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History: 2SK3432

 

 
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