2N5520 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5520
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 3.8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0075 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-71
Búsqueda de reemplazo de 2N5520 MOSFET
2N5520 Datasheet (PDF)
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History: BF996SR | AUIRF1404ZL
History: BF996SR | AUIRF1404ZL
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