Справочник MOSFET. 2N5520

 

2N5520 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N5520
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0075 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-71
 

 Аналог (замена) для 2N5520

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5520 Datasheet (PDF)

Другие MOSFET... 2N5460 , 2N5461 , 2N5462 , 2N5515 , 2N5516 , 2N5517 , 2N5518 , 2N5519 , AO3400 , 2N5521 , 2N5522 , 2N5523 , 2N5524 , 2N5545 , 2N5546 , 2N5547 , 2N5555 .

 

 
Back to Top

 


 
.