2N5545 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5545 📄📄
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 4.5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.008 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Encapsulados: TO-71
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Búsqueda de reemplazo de 2N5545 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2N5545 datasheet
2n5545-7.pdf
2N5545/46/47/JANTX/JANTXV Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Duals PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5545 0.5 to 4.5 50 1.5 50 5 2N5546 0.5 to 4.5 50 1.5 50 10 2N5547 0.5 to 4.5 50 1.5 50 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Monolithic Design D Tight Differential Match
Otros transistores... 2N5517, 2N5518, 2N5519, 2N5520, 2N5521, 2N5522, 2N5523, 2N5524, IRLB4132, 2N5546, 2N5547, 2N5555, 2N5564, 2N5565, 2N5566, 2N5638, 2N5639
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: 2N5524 | FDG314P
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
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