2N5545 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5545
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 4.5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.008 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-71
Búsqueda de reemplazo de 2N5545 MOSFET
2N5545 Datasheet (PDF)
2n5545-7.pdf
2N5545/46/47/JANTX/JANTXVVishay SiliconixMonolithic N-Channel JFET DualsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5545 0.5 to 4.5 50 1.5 50 52N5546 0.5 to 4.5 50 1.5 50 102N5547 0.5 to 4.5 50 1.5 50 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Monolithic Design D Tight Differential Match
Otros transistores... 2N5517 , 2N5518 , 2N5519 , 2N5520 , 2N5521 , 2N5522 , 2N5523 , 2N5524 , IRF9540N , 2N5546 , 2N5547 , 2N5555 , 2N5564 , 2N5565 , 2N5566 , 2N5638 , 2N5639 .
History: AM1440N | QM3001D | MTP2311N3 | HM8N20I
History: AM1440N | QM3001D | MTP2311N3 | HM8N20I
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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