2N5545 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N5545
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.008 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Paquete / Cubierta: TO-71

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N5545

2N5545 Datasheet (PDF)

0.1. Size:56K vishay
2n5545-7.pdf

2N5545/46/47/JANTX/JANTXVVishay SiliconixMonolithic N-Channel JFET DualsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5545 0.5 to 4.5 50 1.5 50 52N5546 0.5 to 4.5 50 1.5 50 102N5547 0.5 to 4.5 50 1.5 50 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Monolithic Design D Tight Differential Match

9.1. Size:51K crystaloncs
2n5543.pdf

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: