Справочник MOSFET. 2N5545

 

2N5545 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N5545
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.008 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-71
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5545 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:56K  vishay
 2n5545-7.pdf pdf_icon

2N5545

2N5545/46/47/JANTX/JANTXVVishay SiliconixMonolithic N-Channel JFET DualsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5545 0.5 to 4.5 50 1.5 50 52N5546 0.5 to 4.5 50 1.5 50 102N5547 0.5 to 4.5 50 1.5 50 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Monolithic Design D Tight Differential Match

 9.1. Size:51K  crystaloncs
 2n5543.pdf pdf_icon

2N5545

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SSW60R043SFD2 | LBSS84LT1G | SSSF11NS65UF | LSGG10R085W3 | IRF3707SPBF | SD211DE | HMS11N65D

 

 
Back to Top

 


 
.