FRM244H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRM244H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 258 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO204AA

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FRM244H datasheet

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FRM244H

FRM244D, FRM244R, FRM244H 12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 12A, 250V, RDS(on) = 0.400 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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FRM244H

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FRM244H

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor FRM240 FEATURES 16A, 200V, RDS(on) = 0.24 Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION It is specially designed and processed to exhibit minimal characteristic changes to total dose and neutron exposures

Otros transistores... FRM230R, FRM234D, FRM234H, FRM234R, FRM240D, FRM240H, FRM240R, FRM244D, AO3400, FRM244R, FRM430D, FRM430H, FRM430R, FRM440D, FRM440H, FRM440R, FRM450D